特許
J-GLOBAL ID：200903038973783885

光電変換素子

発明者：
狩谷 俊光

狩谷 俊光 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242708
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150209
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 光電変換素子の光電変換効率、開放電圧、短絡光電流、低照度開放電圧、リーク電流といった特性を向上し、また屋外暴露試験、機械的強度、長時間光照射における耐久性を向上すること。さらに光電変換素子のコストを大幅に低減すること。【解決手段】 基板、下部導電層、第1のドープ層、i層、第2のドープ層、及び上部導電層を有する光電変換素子において、前記下部導電層表面が凹凸形状を有し、前記i層が柱状結晶粒を含有し、該柱状結晶粒の長手方向は前記基板の法線方向に対して傾いて配置していることを特徴とする光電変換素子とする。
請求項（抜粋）：
基板、下部導電層、第1のドープ層、i層、第2のドープ層、及び上部導電層を有する光電変換素子において、前記下部導電層表面が凹凸形状を有し、前記i層が柱状結晶粒を含有し、該柱状結晶粒の長手方向は前記基板の法線方向に対して傾いて配置していることを特徴とする光電変換素子。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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