特許

J-GLOBAL ID：200903038988927190

薄膜形成用材料、及びそれを用いて形成された薄膜並びにその形成方法

発明者： 古山 晃一 ,  本林 秀文 ,  大江 曉
出願人/特許権者： 株式会社豊島製作所
代理人 (4件)： 倉内 基弘 ,  遠藤 朱砂 ,  吉田 匠 ,  中島 拓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-180820
公開番号（公開出願番号）：特開2007-002275
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】高い反射率を保持しながら耐熱性に優れた薄膜を形成できる薄膜形成用材料。【解決手段】0.01〜35at%(原子%)のCを含有するAgを基とした組成で構成されている薄膜形成用材料であり、更に、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta,W,Reの群、Ru,Rh,Pd,Ir,Pt,Auの群、並びにB,N,Al,Si,P,Ga,Ge,In,Sn,Sb,Mg,Te,Biの群から選ばれた少なくとも一種を0.01〜10at%を含有してもよい薄膜形成用材料。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

0.01〜35at%(atom%、原子%)のCを含有するAgを基とした組成で構成されている薄膜形成用材料。

IPC (3件)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  G11B 7/258

FI (3件)：

C23C14/14 D ,  C23C14/34 A ,  G11B7/24 538E

Fターム (10件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA22 ,  4K029BC07 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  5D029MA13

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 電子部品用Ag合金膜およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-307336   出願人：日立金属株式会社
• リフレクター用Ag合金反射膜、及び、このAg合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このAg合金反射膜のAg合金薄膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-185307   出願人：株式会社神戸製鋼所
• リフレクター用Ag合金反射膜、及び、このAg合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このAg合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-271438   出願人：株式会社神戸製鋼所

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-133349
  
• 特開昭62-195815
  
• 光記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-196334   出願人：TDK株式会社
• 光情報記録媒体用の反射層または半透明反射層、光情報記録媒体及び光情報記録媒体用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-395894   出願人：株式会社神戸製鋼所