特許
J-GLOBAL ID：200903038990023916
半導体における不純物濃度プロファイルの測定方法及び測定装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225967
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067859
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体に導入されたドーパントの濃度プロファイルを、高濃度領域においても測定を可能にした二次元濃度プロファイルの測定方法及び測定装置を提供する。【解決手段】 ドーパントが導入された半導体基板1を所望の箇所で切断し、切断面を露呈する工程と、前記切断面をドーパント濃度に依存したエッチング量となるエッチング液でエッチングする工程と、エッチング部位1aに充填剤3を充填する工程と、充填剤3の表面を半導体基板1の表面と平行に平坦化する工程と、充填剤3を半導体基板から分離してレプリカとする工程と、レプリカ3の複数箇所において電子線を透過させ、かつその電子線の強度を測定する工程と、透過電子線の強度の減少分からレプリカ3中の透過長を算出する工程と、算出された透過長から半導体基板におけるエッチング量を算出する工経と、算出されたエッチング量からドーパント濃度を算出する工程と、このドーパント濃度を測定部位に対応するように二次元的に再校正する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体のエッチング量がそのドーパント濃度に依存するようなエッチング液で半導体の所望の部位をエッチングした後、前記エッチング部位を充填剤によって充填し、かつこの充填剤を前記半導体から取り外してレプリカを形成し、このレプリカを透過させた電子線の強度に基づいて前記ドーパントの濃度プロファイルを測定することを特徴とする半導体における不純物濃度プロファイルの測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 N
, G01N 23/04
