特許

J-GLOBAL ID：200903038993360662

ガリウム染色およびフェムト秒剥離を使用する石英欠陥除去

発明者： デニス・エム・ヘイデン ,  ティモシー・イー・ニアリー ,  ジョン・エヌ・ロス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044665
公開番号（公開出願番号）：特開2001-249440
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 光透過可能基板の表面から欠陥を分離して除去するため、ならびにレチクルまたはフォトマスクの直接書込みと得られたレチクルまたはフォトマスクのために、光透過可能基板からの不要な材料の精密除去を制御する方法を提供すること。【解決手段】 光透過可能基板上の欠陥またはその欠陥を取り囲む領域あるいはその両方へのガリウム、砒素、ホウ素、燐、アンチモン、またはこれらの化合物などの吸光材料のイオン注入の深さにより、基板から除去される材料の深さが制御される。予想外に、10-15秒を超えないパルスのレーザ剥離を使用して不要な材料を除去すると、基板への熱損傷を防止しながら精密除去が可能になる。

請求項（抜粋）：

位相シフト・マスク上のバンプ欠陥を矯正する方法であって、前記バンプ欠陥に吸光材料を注入するステップと、実質的に前記吸光材料のすべてが除去されるまで前記バンプ欠陥に注入された前記吸光材料に照射するステップとを含む方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 T ,  H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ホトマスクの修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-014998   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭56-055947