特許

J-GLOBAL ID：200903039003176567

窒化物半導体素子

発明者： 齋藤 渉 ,  小野村 正明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-229906
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048842
出願日： 2005年08月08日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】 Siなどの基板を用いつつ高い耐圧が得られる窒化物半導体素子を提供する【解決手段】 基板1に凹凸をつけることにより転位などの結晶欠陥8を発生させる箇所をその段差部分に限定し、それ以外の部分では良質なGaN結晶を得ることができる。結晶欠陥が少ない領域に素子の高電圧が印加されるゲート電極7、ドレイン電極6を配置し、クラックが発生しやすい段差部分に電圧の印加されないソース電極5を配置する【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面に凹凸を有する半導体基板と、 前記半導体基板の上に設けられた第1の窒化物半導体からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップが広い第2の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に設けられた第1および第2の主電極と、 前記第2の半導体層の上において前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に設けられた制御電極と、 を備え、 前記第1及び第2の主電極のいずれか一方は、前記半導体基板の前記凹凸の凹みの上部に位置することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 U

Fターム (17件)：

5F102FA01 ,  5F102GB02 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ00 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL00 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS07 ,  5F102GS09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN系電界効果トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-041555   出願人：古河電気工業株式会社