GaN系電界効果トランジスタとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長門侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041555
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230410
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】動作時に電界が集中する領域のGaN結晶が高品質であるため、優れた耐圧性を示すGaN系電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】複数のGaNエピタキシャル結晶層12A,12B,12Cが積層されて成る積層構造12を有し、積層構造の表面にゲート電極G,ソース電極(動作電極)Sが配置され、裏面にドレイン電極Dが配置されているGaN系電界効果トランジスタにおいて、前記積層構造12は、動作時における電界集中領域R1,R1が他の領域R2に比べて転位密度の低減した積層構造になっているGaN系電界効果トランジスタであり、これは、動作時の電界集中領域を形成するための動作電極の平面パターンと同じ平面パターンがGaN系材料以外の材料で表面に形成されている成長用基板の前記表面に、選択横方向成長を行うことにより複数のGaNエピタキシャル結晶層を成膜して積層構造を形成したのち、その積層構造の表面に動作電極を形成して製造される。

請求項（抜粋）：

複数のGaNエピタキシャル結晶層が積層されている積層構造を有し、前記積層構造の表面に動作電極が配置されているGaN系電界効果トランジスタにおいて、前記積層構造は、動作時における電界集中領域に相当する領域が、他の領域に比べて転位密度の低減したGaNエピタキシャル結晶層の積層構造になっていることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , C30B 29/38 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , C30B 29/38 D , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 626 A

Fターム (39件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EF03 , 5F040DA00 , 5F040DC03 , 5F040EA00 , 5F040EB12 , 5F040EB13 , 5F110AA06 , 5F110AA13 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE15 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF29 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK11 , 5F110HK13 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110QQ14 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225077 出願人：ソニー株式会社
GaN単結晶基板及びその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP1998004908 出願人：住友電気工業株式会社
半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体装置
公報種別：再公表公報出願番号：JP1996002663 出願人：株式会社日立製作所

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