特許
J-GLOBAL ID：200903039029576350
半導体基板の上に浮動している3次元金属素子、その回路モデル、及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲吉▼川 俊雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-578578
公開番号（公開出願番号）：特表2004-530297
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
本発明は、半導体基板の上で空中に浮動している3次元金属素子、その回路、及びその製造方法に関する。スパイラルインダクタ、ソレノイドインダクタ、スパイラルトランス、ソレノイドトランス、マイクロミラー、伝送線のような各種の無線通信用及び光通信用の受動電気素子が半導体基板の上に基板から数十μm隔てられ空中に浮動している。このような3次元金属素子が、基板への信号損失を画期的に低減し素子の性能を向上させ、基板と独立した素子モデルを可能にし、且つ素子の下に集積回路の形成を可能にする。また、3次元金属素子を、集積回路上にモノリシック方式で製造できるようになる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板上に高く浮動している3次元金属素子の製造方法であり、
(a)基板を用意する段階と;
(b)前記基板の上に3次元寄生モールドを形成し、該3次元寄生モールドの底部から上方に延びる第1の空間と、これと連通し前記3次元寄生モールドの底部と隔てられている第2の空間を有する所定の3次元形状に形成する段階と;
(c)前記第1及び第2の空間を第3の金属層で埋める段階;及び
(d)前記3次元寄生モールドを取り除く段階と;
を含むことを特徴とする3次元金属素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/04 L
, H01L27/04 A
5F038AZ01
, 5F038AZ04
, 5F038BH10
, 5F038CA16
, 5F038EZ11
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
