特許

J-GLOBAL ID：200903039035720846

MEMSセンサおよびその製造方法

発明者： 河内 宏信
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-122229
公開番号（公開出願番号）：特開2009-272477
出願日： 2008年05月08日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：

【課題】製造に要する時間の短縮を図ることができる、MEMSセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板2の表面2a上に、平面視四角環状の壁部6が設けられている。壁部6上には、平面視四角環状の第2絶縁層9が設けられており、この第2絶縁層9を介して、平面視四角形状のキャップ10の周縁部が支持されている。シリコン基板2の表面2a上には、第1絶縁層8、壁部6、第2絶縁層9およびキャップ10により、X/Y可動部3、X/Y固定部4、Z可動部5および分離部7を収容する中空部分20が形成されている。そして、キャップ10は、ポリシリコンからなり、シリコン基板2上にドープトポリシリコン層を形成し、ドープトポリシリコン層に分離溝12,14を形成して、ドープトポリシリコン層を分割することにより形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の一方面上に設けられる環状の支持部と、 ポリシリコンからなり、前記支持部にその周縁部が支持されるキャップと、 導電材料からなり、前記半導体基板の一方面上に前記支持部および前記キャップにより形成される中空部分に収容され、所定方向に変位可能な可動部と含む、MEMSセンサ。

IPC (5件)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/125 ,  G01P 15/18 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00

FI (5件)：

H01L29/84 Z ,  G01P15/125 Z ,  G01P15/00 K ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Fターム (29件)：

3C081AA19 ,  3C081BA07 ,  3C081BA30 ,  3C081BA32 ,  3C081BA48 ,  3C081CA03 ,  3C081CA13 ,  3C081CA14 ,  3C081CA28 ,  3C081CA29 ,  3C081DA02 ,  3C081DA22 ,  3C081DA26 ,  3C081DA27 ,  3C081DA30 ,  3C081EA02 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112DA02 ,  4M112DA06 ,  4M112DA07 ,  4M112DA14 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112FA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-344398   出願人：株式会社デンソー