特許

J-GLOBAL ID：200903039037121648

エレクトロマイグレーション耐性が向上し欠陥影響度が少ないサブクォーターミクロンの銅相互接続

発明者： ハザラ・エス・ラソーア ,  ホルマズドヤール・エム・ダラール ,  ポール・エス・マクラフリン ,  デュ・ビー・グエン ,  リチャード・ジー・スミス ,  アレグザンダー・ジェイ・スウィントン ,  リチャード・エイ・ワクニク
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143914
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045887
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】 向上したエレクトロマイグレーション耐性と腐食耐性とを備えるサブハーフミクロンの銅相互接続を設ける方法。【解決手段】 この方法は、シード層が化学的気相付着または物理的気相付着によって約800オングストローム未満の層に付着された、電気めっきされた銅を使用した二重ダマシンを含む。

請求項（抜粋）：

基板内の電気機構との接点を形成するために誘電絶縁によって互いに分離された銅線の多層相互接続を形成する方法であって、(a)画定されたパターン内に銅線を収容する誘電絶縁層を有する基板を設けるステップと、(b)前記パターン内に金属線を付着させるステップと、(c)化学的気相付着銅層を前記パターン内に付着させるステップと、(d)化学的気相付着銅層の上に異なるプロセスによって銅の層を付着させて前記パターンをほぼ充填するステップとを含む方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-244126
  
• めっき法による配線金属膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264586   出願人：松下電器産業株式会社
• 埋め込み導電層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-224954   出願人：富士通株式会社
• 特開昭63-117446