特許

J-GLOBAL ID：200903046774399742

埋め込み導電層の形成方法

発明者： 岡本 茂
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224954
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069522
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 埋め込み導電層の形成方法に関し、凹部内に埋め込みCu層を形成する際に、Cu層の成長速度を大きくし、且つ、段差被覆性を改善する。【解決手段】 絶縁層4に設けた凹部5に形成したバリヤメタル層6上に、Cuの独立分散超微粒子を塗布してCu薄膜からなるシード層7を形成したのち、水素還元によってCu薄膜を表面を還元し、次いで、化学気相成長法によってCu層8を堆積させて凹部5を埋め込んだのち、バリヤメタル層6、シード層7、及び、Cu層8の不要部分を化学機械研磨することによって除去する。

請求項（抜粋）：

絶縁層に設けた凹部に形成したバリヤメタル層上に、Cuの独立分散超微粒子を塗布してCu薄膜からなるシード層を形成したのち、水素還元によって前記Cu薄膜を表面を還元し、次いで、化学気相成長法によってCu層を堆積させて前記凹部を埋め込んだのち、前記バリヤメタル層、前記シード層、及び、前記Cu層の不要部分を化学機械研磨することによって除去することを特徴とする埋め込み導電層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321

FI (4件)：

H01L 21/88 J ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/88 R