半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-341204
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213600
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】MIS型電界効果トランジスタの製造方法において、ソース及びドレインの接合容量が小さくするための製造方法を提供する。【構成】MIS型電界効果トランジスタの製造工程において、ゲート電極をマスクとして半導体基板もしくはウェルと逆導電型の不純物をイオン注入し、基板濃度を実効的に低濃度化して、ソース及びドレインの接合容量を減らす。イオン注入工程において、注入角度は好ましくは略2度以内、スクリーン酸化膜厚は略3nm以下としてチャネリングが発生する条件に設定し、ゲート電極直下とフィールド領域には不純物が注入されずに、ソース及びドレイン部にのみ不純物を導入できる。

請求項（抜粋）：

(a)面方位(100)の第1導電型の半導体基板の一主面に、選択的に素子分離領域を形成する工程と、(b)前記素子分離領域で分離された領域上に絶縁膜を介してゲート電極を設ける工程と、(c)前記ゲート電極をマスクとして第2導電型の不純物を前記半導体基板の〈100〉方向から前記半導体基板内にチャネリングを生ずる所定の角度にてイオン注入し、MIS型電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域の下方領域に第2導電型の不純物を導入する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 U , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-261060
特開昭63-283066
特開平2-105469

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