成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006381
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211712
出願日： 1994年01月25日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は、プラズマCVD法によりシリコン含有絶縁膜を形成する成膜方法に関し、安全性の高い反応ガスを用いて、膜質が緻密で、膜中の水分,カーボンその他の有機残留物の含有量が少なく、カバレージが良く、かつ熱CVD法によるシリコン酸化膜との相性の良い絶縁膜を形成することが可能で、形成される絶縁膜の屈折率や応力等を制御する。【構成】Si-H結合を有する有機化合物と酸化性ガスを含む混合ガスをプラズマ化し、反応させてシリコン含有絶縁膜15を被堆積基板14上に形成することを含む。

請求項（抜粋）：