特許
J-GLOBAL ID：200903039060559960
シリコン半導体基板及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080222
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344598
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【課題】 デバイス作成領域となる基板表面部に高品質かつ十分な深さの無欠陥層を有する一方で、ゲッタリング能力に優れたシリコン半導体基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン半導体基板中の窒素含有量が5×1013atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下であり、炭素含有量が1×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であるチョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、少なくとも基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104個/cm3以下であり、基板の厚み中心において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が5×109個/cm3以上であることを特徴とするシリコン半導体基板。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板中の窒素含有量が1×1013atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下であり、炭素含有量が1×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であるチョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、少なくとも基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104個/cm3以下であり、基板の厚み中心において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が5×109個/cm3以上であることを特徴とするシリコン半導体基板。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, C30B 29/06 502
, H01L 21/205
, H01L 21/322
C30B 29/06 A
, C30B 29/06 502 J
, H01L 21/205
, H01L 21/322 Y
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077DB01
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EH09
, 4G077FE11
, 4G077GA02
, 4G077HA12
, 4G077TK01
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AD15
, 5F045AF03
, 5F045AF16
, 5F045BB12
, 5F045EB13
