CMOS型固体撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111222
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307753
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 CMOS型固体撮像装置において、フォトダイオード部の感度、解像度、フレア、暗電流を大幅に改善する構造を提供する。【解決手段】 p基板100の表面に、複数の画素と、pウェル110及びnウェル120、更に、pウェル110上に形成されたn型MOSトランジスタ及びnウェル120上に形成されたp型MOSトランジスタが形成されたツインウェル型CMOS構造を有し、各画素は、n+層130から成るフォトダイオードとn型MOSトランジスタを有し、該n型MOSトランジスタの下側には前記pウェル110を形成すると共に、フォトダイオードの下側には、pウェルを形成せず、前記nウェル120を形成している。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板表面に、複数の画素と、第1導電型の第1の層及び第2導電型の第2の層、更に、前記第1の層上に形成された第2導電型の第1MOSトランジスタ及び前記第2の層上に形成された第1導電型の第2MOSトランジスタが形成されたツインウェル型CMOS構造を有し、前記各画素は第2導電型の第3の層からなるフォトダイオードと第2導電型の第3MOSトランジスタを有し、前記第3MOSトランジスタの下側には、前記第1の層が形成されると共に、前記フォトダイオードの下側には、前記第1の層が形成されないこと、を特徴とするCMOS型固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 U , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-243462
特開昭57-075073
特開昭60-021566

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