特許
J-GLOBAL ID：200903039079239401
CVD成膜法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330495
公開番号（公開出願番号）：特開2002-129339
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：
【要約】【課題】反応のエネルギー源として熱を用いるタイプのCVD法により、工業的生産を行う際の最適な成膜条件を、簡便且つ効率的に予察する方法として最適なCVD成膜法及び装置を提供する。【解決手段】レーザを基板14を加熱するための熱エネルギー源としたCVD装置10において、基板14に照射される照射位置15を順次変更して照射位置15をスポット加熱すると共に、該照射位置15を変更するごとに薄膜を成膜するための複数の成膜因子の条件を変更する。
請求項（抜粋）：
CVD反応器内に配された基板にレーザを照射することで該基板を加熱する熱エネルギーを供給するCVD法により、前記基板上に薄膜を成膜するCVD成膜法において、前記基板に照射されるレーザ照射位置を順次変更して該照射位置をスポット加熱すると共に、該照射位置を変更するごとに前記薄膜を成膜するための成膜因子の成膜条件を変更することにより、前記照射位置ごとに異なる成膜条件により成膜された薄膜を、1つの基板上に作成することを特徴とするCVD成膜法。
Fターム (10件)：
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030AA18
, 4K030BA21
, 4K030BA47
, 4K030CA06
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030KA24
, 4K030LA17
