特許
J-GLOBAL ID：200903039083182813
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001321
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204450
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 不純物を気相からシリコン中に拡散させる場合、不純物の性質によって、高濃度化が困難、あるいは過剰に不純物が吸着してしまう、といった問題がある。【解決手段】 不純物を含む層を吸着させたあとに、不純物の外方拡散や再蒸発を抑制あるいは促進するとともに蒸気圧を変化させる作用を持つ層を付着させることによって不純物濃度を制御する。【効果】 不純物層を吸着した後にO2などを供給することで、N型不純物の場合は不純物単体よりも蒸気圧の低い化合物を形成して再蒸発を抑制し、より高濃度化を図ることができた。P型不純物の場合は不純物単体よりも蒸気圧の高い化合物を形成して再蒸発を促進し、過剰なボロンを除去することができた。
請求項（抜粋）：
半導体基板に該半導体基板とは反対の導電型を示す不純物を導入して拡散層を形成する不純物拡散法において、半導体表面を清浄化して活性にする工程と、不純物原子あるいは分子を含む層を付着させる工程と、同一雰囲気中で不純物の外方拡散や揮発を抑制、あるいは促進する作用を持つ原子あるいは分子を含む層を付着させる工程と、熱拡散によって該不純物を該半導体基板中に拡散させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/225
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/225 M
, H01L 27/10 621 C
