特許
J-GLOBAL ID：200903039104979067
セルフバイアス・プラズマコーティング法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228237
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058103
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 被コーティング物を加熱することなく窒化シリコン及び酸化シリコンをコーティングすることのできる方法を提供する。【構成】 反応室11内で上部電極12及び下部電極13を略平行に設け、上部電極12を接地し、下部電極13に整合回路14を介して高周波電源15を接続する。反応室11内にモノシランを含む原料ガスを導入し、下部電極13の近傍に被コーティング物21を配置して、下部電極13を加熱することなく下部電極13より高周波電力を投入する。
請求項（抜粋）：
a)反応室内で上部電極及び下部電極を略平行に設け、b)上部電極を接地し、下部電極に整合回路を介して高周波電源を接続し、c)反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入し、d)下部電極の近傍に被コーティング物を配置し、e)下部電極を加熱することなく下部電極より高周波電力を投入することにより、被コーティング物の表面に窒化シリコン又は酸化シリコンの皮膜を形成するセルフバイアス・プラズマコーティング法。
IPC (5件)：
H01L 21/318
, C23C 16/50
, C23C 16/54
, H01L 21/31
, H01L 21/316
