荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289128
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。【解決手段】半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに100eV以上1000eV以下の照射エネルギ-の電子線を走査・照射し、発生した2次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。

請求項（抜粋）：

荷電粒子源と、前記荷電粒子源からの一次荷電粒子線を開口パターンを含むパターンが形成された基板に照射するための対物レンズと、前記基板が保持される試料台と、前記試料台上に載置された前記基板表面を正極性に帯電させるための荷電粒子発生部と、正極性に帯電された前記基板の所定領域を一次荷電粒子線が照射するための偏向器と、正極性に帯電された前記基板からの二次荷電粒子を検出するための検出器とを具備し、前記検出器からの信号に基づいて前記開口パターンの良否を検査するよう構成したことを特徴とする荷電粒子線を用いた基板検査装置。

IPC (8件)：

H01J 37/28 , G01B 15/00 , G01N 23/225 , G01R 1/06 , G01R 31/302 , H01J 37/20 , H01J 37/29 , H01L 21/66

FI (8件)：

H01J 37/28 B , G01B 15/00 B , G01N 23/225 , G01R 1/06 F , H01J 37/20 F , H01J 37/29 , H01L 21/66 J , G01R 31/28 L

Fターム (60件)：

2F067AA13 , 2F067AA54 , 2F067AA62 , 2F067BB01 , 2F067CC14 , 2F067CC17 , 2F067EE10 , 2F067HH06 , 2F067HH13 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067RR07 , 2F067RR35 , 2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001EA05 , 2G001FA01 , 2G001FA06 , 2G001GA06 , 2G001GA08 , 2G001GA09 , 2G001HA09 , 2G001JA02 , 2G001JA11 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001PA07 , 2G001RA10 , 2G001RA20 , 2G001SA12 , 2G011AA01 , 2G011AC06 , 2G011AE01 , 2G011AE03 , 2G132AA00 , 2G132AD15 , 2G132AE01 , 2G132AE04 , 2G132AE14 , 2G132AE16 , 2G132AE18 , 2G132AE22 , 2G132AF12 , 2G132AF13 , 2G132AK03 , 2G132AL12 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA38 , 4M106CA39 , 4M106DB00 , 4M106DB01 , 4M106DB05 , 4M106DB21 , 5C001AA03 , 5C001BB07 , 5C001CC04 , 5C033UU03 , 5C033UU04

引用特許：

審査官引用 (1件)

走査形電子顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-000222 出願人：株式会社日立製作所

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