特許

J-GLOBAL ID：200903039114831858

窒化物系化合物半導体、その製造方法及びその用途

発明者： 小廣 健司 ,  西川 直宏
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (3件)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-375923
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186005
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】 n型ドーパントとして、Siの代わりにGeを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Siを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Vf特性等を示す化合物半導体を提供する。【解決手段】(1)n型ドーパントがドーピングされたn型の第3の層(キャリア濃度5×1017〜5×1018cm-3)と、表面が凹凸であってGeがドーピングされ、第3の層よりキャリア濃度の高いn+型の第1の層(1×1018〜3×1019cm-3)とを有し、かつ両者の層の間に、第1の層の凹凸を平坦化するように配され、第3の層よりキャリア濃度の低いn-型の第2の層(1×1014〜1×1018cm-3)を有することを特徴とするn型窒化物系化合物半導体。(2)n型窒化物系化合物半導体層として、上記(1)のn型窒化物系化合物半導体からなる層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

n型ドーパントがドーピングされたn型の第3の層と、表面が凹凸であってGeがドーピングされ、第3の層よりキャリア濃度の高いn+型の第1の層とを有し、かつ両者の層の間に、第1の層の凹凸を平坦化するように配され、第3の層よりキャリア濃度の低いn-型の第2の層を有することを特徴とするn型窒化物系化合物半導体。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (23件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045DA60 ,  5F045DA67

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-157219   出願人：日亜化学工業株式会社