特許

J-GLOBAL ID：200903039134203039

誘電体分離集積回路

発明者： 遠藤 幸一 ,  新井 晴輝 ,  増田 久美子 ,  佐藤 信幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115418
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022166
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 高電圧を、高速かつ安定にスイッチング可能な誘電体分離集積回路を提供する。【解決手段】下アーム側回路と、フローティング状態となる上アーム側回路とを有するSOI構造/誘電体分離構造を用いた誘電体分離集積回路において、上アーム側のスイッチング素子が形成される島状半導体領域147にキャリア注入用エミッタ領域242を配置する。このエミッタ領域242は、スイッチング素子の主電極領域141,142よりも深く形成する。さらに、このエミッタ領域242は上アーム側回路と下アーム側回路との中性点端子Nn2に接続される。この中性点端子Nn2から、SOI構造に起因する寄生コンデンサCSUBを流れる変位変流Jd相当分の電流を供給し、上アーム側回路に電圧を供給する内部電源回路105の負担を軽減する。

請求項（抜粋）：

第1の主電極が高圧電源に接続された上アーム出力素子と、該上アーム出力素子の第2の主電極と自己の第1の主電極とを接続し、自己の第2の主電極が接地電位(GND)に接続された下アーム出力素子との直列回路からなる主力回路を駆動する集積回路であって、底面および側面を誘電体で分離された島状の半導体領域と、該半導体領域中に配置され、且つ、上アーム出力素子及び下アーム出力素子の内フローティング状態となる出力素子の制御電極に接続され、フローティング状態で動作するスイッチング素子と、該スイッチング素子とは離間した位置において、前記半導体領域中に配置された、前記スイッチング素子の主電流となるキャリアと同一の導電型キャリアを前記半導体領域に注入させるためのエミッタ領域、とを少なくとも具備することを特徴とする誘電体分離集積回路。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331

FI (4件)：

H01L 29/78 621 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 622

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高耐圧パワーICの出力段回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-066761   出願人：富士電機株式会社