特許
J-GLOBAL ID：200903039155934009
半導体装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259837
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103641
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】金属製のヒートシンクの一面側にダイボンド材を介して半導体シリコンチップを接着してなる半導体装置において、該半導体装置を実装するときのはんだリフロー時にダイボンド材に加わる応力を低減し、ダイボンド材とヒートシンクとの剥離を防止する。【解決手段】金属製のヒートシンク10と、このヒートシンク10の一面側にダイボンド材20を介して接着された半導体シリコンチップ30とを備える半導体装置S1において、ダイボンド材20のガラス転移温度以上における熱膨張係数をα2、ダイボンド材20のガラス転移温度以上におけるヤング率をE2としたとき、これらα2およびE2の積α2・E2が18000Pa・°C-1以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属製のヒートシンク(10)と、
このヒートシンクの一面側にダイボンド材(20)を介して接着された半導体シリコンチップ(30)とを備える半導体装置において、
前記ダイボンド材のガラス転移温度以上における熱膨張係数をα2、前記ダイボンド材のガラス転移温度以上におけるヤング率をE2としたとき、これらα2およびE2の積α2・E2が18000Pa・°C-1以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L21/52
, H01L23/28
, H01L23/34
, H01L23/36
, H01L23/373
, H01L23/40
H01L21/52 E
, H01L23/28 B
, H01L23/34 A
, H01L23/40 F
, H01L23/36 C
, H01L23/36 M
4M109AA01
, 4M109BA07
, 4M109DB03
, 4M109ED02
, 5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BC05
, 5F036BC33
, 5F036BD01
, 5F036BE01
, 5F047AA03
, 5F047BA34
, 5F047BA53
