半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259838
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103642
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】金属製のヒートシンクの一面側にダイボンド材を介して半導体チップを接着してなる半導体装置において、適切にダイボンド材の厚さを一定以上に確保する。【解決手段】金属製のヒートシンク10と、このヒートシンク10の一面上にダイボンド材20を介して接着された半導体チップ30とを備える半導体装置S1において、ヒートシンク10の一面における半導体チップ30の配置領域には、当該一面上に突出しダイボンド材20の厚さを規定する複数個の突起部11が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属製の基材(10、41)と、この基材の一面上にダイボンド材(20)を介して接着された半導体チップ(30)とを備える半導体装置において、前記基材の一面における前記半導体チップの配置領域には、当該一面上に突出し前記ダイボンド材の厚さを規定する複数個の突起部(11、42)が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/52 , H01L23/34

FI (2件)：

H01L21/52 A , H01L23/34 A

Fターム (7件)：

5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BB21 , 5F036BC05 , 5F047AA02 , 5F047AB06 , 5F047BA21

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-149864
特開平2-146757
特開平4-258142

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