特許
J-GLOBAL ID：200903039170476980
半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043277
公開番号（公開出願番号）：特開平11-242896
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 リダンダンシセルアレイのアクセスを高速化し、メモリ全体としてのアクセス速度を向上させる。【解決手段】 ノーマルセルアレイと、リダンダンシセルアレイとを有する半導体メモリ装置において、リダンダンシセルアレイへの置換が行われる対象である上記ノーマルセルアレイが選択された場合、第1の回路8はワンショット信号PBLSTをブロック選択回路7へ出力し、ブロック選択回路7はデコーダ4から出力されるリダンダンシセルアレイが選択状態か否かの判定結果を待たずにプリチャージ停止信号を活性化しリダンダンシセルアレイを一旦選択状態にする。
請求項（抜粋）：
ノーマルセルアレイと、リダンダンシセルアレイとを有する半導体メモリ装置において、前記リダンダンシセルアレイへの置換が行われる対象を示す前記ノーマルセルアレイが選択された場合は、該リダンダンシセルアレイが選択状態か非選択状態かの判定を待たずにプリチャージ停止信号を活性化し、該リダンダンシセルアレイを一旦選択状態にすることを特徴とする半導体メモリ装置。
引用特許：
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