特許

J-GLOBAL ID：200903039177581240

熱処理装置

発明者： 宮城 勝伸 ,  川上 聡
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-294283
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130673
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 重金属汚染を起こすことなく面内均一性を確保することのできる熱処理装置を提供することにある。【構成】 反応炉12内に上記プロセスガスを供給する供給路30中に、上記プロセスガスを励起するプラズマ発生機構50を配置し、このプラズマ発生機構50は、上記供給路30内部にて高純度材料からなる電極部材56を層状に配列したプラズマ発生機構で構成されていることを特徴としている。このため、層状に電極部材56が配列されていることでプロセスガスが電極部材間に導入され、ガス分解を比較的短時間に行えることになる。しかも、プロセスガスの供給通路内にプラズマ生成のための機構が設けられているので、熱損失を生じることがない。

請求項（抜粋）：

反応炉内に複数配列された被処理体を加熱しながらプロセスガスを供給する構造を備えた熱処理装置において、上記反応炉内に上記プロセスガスを供給する供給路中であって、上記供給路内部にて電源側及び接地側とに交互に接続されている高純度材料からなる電極部材を離間させて配列したプラズマ発生機構を設けたことを特徴とする熱処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-165329
  
• プラズマCVD装置のサセプタに使用されるウエハ保持ピン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-255226   出願人：イビデン株式会社
• 特開昭62-165320
  
• 特開昭60-076126