特許

J-GLOBAL ID：200903039179404680

パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Mo薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Mo焼結ターゲット

発明者： 茨木 正之 ,  岩本 賢治
出願人/特許権者： 日本新金属株式会社 ,  日立金属株式会社
代理人 (2件)： 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121549
公開番号（公開出願番号）：特開2005-133198
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】 パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Mo薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Mo焼結ターゲットを提供する。【解決手段】 スパッタリング用高純度高密度金属Mo焼結ターゲットが、粗粒化添加成分であるK(カリウム)の含有量が10ppm以下に低減され、かつ99.99質量%以上の高純度を有すると共に、フィッシャー法による粒度測定で5.5〜7.5μmの平均粒径およびJIS・R1626に基づくBET値で0.07〜0.2m2/gの比表面積を有する高純度金属Mo粗粒粉末の焼結体からなり、純度:99.99質量%以上の高純度および理論密度比:98%以上の高密度を有する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

粗粒化添加成分であるK(カリウム)の含有量が10ppm以下に低減され、かつ99.99質量%以上の高純度を有すると共に、フィッシャー法による粒度測定で5.5〜7.5μmの平均粒径およびJIS・R1626に基づくBET値で0.07〜0.2m2/gの比表面積を有する高純度金属Mo粗粒粉末の焼結体にして、純度:99.99質量%以上の高純度および理論密度比:98%以上の高密度を有することを特徴とする、パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Mo薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Mo焼結ターゲット。

IPC (3件)：

C23C14/34 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345

FI (3件)：

C23C14/34 A ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345

Fターム (35件)：

2H092HA02 ,  2H092HA14 ,  2H092KA18 ,  2H092KB03 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092NA11 ,  2H092NA13 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  4K017AA03 ,  4K017BA04 ,  4K017CA06 ,  4K017DA09 ,  4K017EJ01 ,  4K017FB03 ,  4K017FB06 ,  4K018AA21 ,  4K018BA09 ,  4K018BB04 ,  4K018BC01 ,  4K018BC10 ,  4K018EA13 ,  4K018EA19 ,  4K018FA06 ,  4K018HA10 ,  4K018KA29 ,  4K018KA63 ,  4K018KA70 ,  4K029BA11 ,  4K029BD02 ,  4K029DC03 ,  4K029DC09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平2-141507号公報
  

審査官引用 (3件)

• タングステンまたはモリブデンターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-007153   出願人：日立金属株式会社
• 特開平4-218912
  
• スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-109929   出願人：株式会社東芝