スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109929
公開番号（公開出願番号）：特開2001-295035
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】結晶組織が微細でありスパッタリング時におけるパーティクルの発生を低減でき、しかも高密度なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】W,Mo,Nb,TaおよびRuの少なくとも1種の高融点金属を主成分として95重量%以上含有するスパッタリングターゲットであり、ターゲット組織に一辺が50μmの正方形状の測定領域を設定した場合に、上記測定領域に含まれる結晶粒内において発生したバブルの面積割合が15%以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。

請求項（抜粋）：

W,Mo,Nb,TaおよびRuの少なくとも1種の高融点金属を主成分として95重量%以上含有するスパッタリングターゲットであり、ターゲット組織に一辺が50μmの正方形状の測定領域を設定した場合に、上記測定領域に含まれる結晶粒内において発生したバブルの面積割合が15%以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (4件)：

C23C 14/34 A , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R

Fターム (21件)：

4K029BA02 , 4K029BA11 , 4K029BA16 , 4K029BA21 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC09 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104DD40 , 4M104HH20 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD28 , 5F103RR02 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (2件)

タングステンスパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-246031 出願人：株式会社ジャパンエナジー
スパッタリング用W-Tiターゲットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-358776 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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