特許

J-GLOBAL ID：200903039183220968

薄膜製造方法

発明者： 門倉 好之 ,  広石 城司
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-085131
公開番号（公開出願番号）：特開平7-292474
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月07日
要約：

【要約】【目的】 ボトムカバッレッジがよい薄膜を成膜でき、基板上に設けられたコンタクトホール等の穴や溝に配線材料を良好に充填できる薄膜製造方法を提供する。【構成】 本発明は、配線材料から成るターゲット10と、薄膜が成膜される基板1との間の間隔であるスパッタリング距離Lを、前記ターゲット10の有効半径(T/2)と前記基板の有効半径(S/2)とを加えた値に、前記基板1に設けられたコンタクトホール3のアスペクト比(R)を掛け合わせて得られる値である算出距離以上の大きさになるように制御してスパッタリングを行い、薄膜7を製造することを特徴とし、ボトムカバレッジのよい薄膜を製造することができる。また、薄膜が成膜された基板のリフローイングを行えば、コンタクトホール3内を配線材料で充填することができる。なお、前記スパッタリング距離を、スパッタリングが行われる際の圧力下での平均自由行程以下にしておけば、一層効果的である。

請求項（抜粋）：

真空槽内に配線材料から成るターゲットと、表面にコンタクトホールが設けられた基板とを対向させて略平行に配置し、前記真空槽内にスパッタリングガスを導入して所定のスパッタリング圧力を保持し、前記スパッタリングガスで前記ターゲットをスパッタしてターゲット粒子を叩き出し、前記基板上に前記ターゲット粒子を堆積させて薄膜を製造する薄膜製造方法であって、前記ターゲットと前記基板の間の間隔であるスパッタリング距離を、前記ターゲットの有効半径と前記基板の有効半径とを加えた値に、前記基板に設けられたコンタクトホールのアスペクト比を掛け合わせて得られる値である算出距離以上の大きさになるように制御してスパッタリングを行うことを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/54 ,  C23C 14/34

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162573   出願人：日本真空技術株式会社