特許
J-GLOBAL ID：200903039188251080

めっき方法及び装置、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
上島 聡史

上島 聡史 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 森岡 正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316864
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】本発明は、レジストをパターニングして形成した型を用いてめっき膜を形成するフレームめっき方法に関し、高アスペクト比のレジストフレームの倒れを容易に確実に防止して所望のめっき膜を形成できるフレームめっき方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板138上に形成された露光済みのレジスト層を現像し、現像液を洗浄液で洗浄する現像/洗浄部100と、洗浄後に洗浄液を乾燥させずに保持した状態の基板138表面をめっき液62に浸漬してめっきするめっき部50とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に電極膜を形成し、前記電極膜上にレジスト層を形成し、所定のマスクを介して前記レジスト層を露光してから現像し、現像により形成されたレジストフレームの表面の現像液を洗浄液で洗浄し、洗浄後、前記洗浄液を乾燥させずに保持した状態の前記基板表面をめっき液に浸漬してめっきすることを特徴とするめっき方法。
IPC (4件)：
C25D 5/02 ,  C25D 7/00 ,  C25D 17/00 ,  G11B 5/31
FI (4件)：
C25D 5/02 E ,  C25D 7/00 K ,  C25D 17/00 B ,  G11B 5/31 M
Fターム (17件)：
4K024AA15 ,  4K024AB01 ,  4K024AB03 ,  4K024AB04 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BB09 ,  4K024BB14 ,  4K024CB01 ,  4K024CB11 ,  4K024CB18 ,  4K024CB26 ,  4K024DA04 ,  4K024FA05 ,  5D033DA04 ,  5D033DA09 ,  5D033DA21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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