特許
J-GLOBAL ID：200903039198842361
薄膜音響共振器及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-141845
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236337
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】電気機械結合係数及び音響品質係数などに優れた高性能の薄膜音響共振器を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ51の表面に酸化シリコン薄層53の形成された基板に、窪み52が形成されている。窪み52をまたぐように、圧電体層62とその両面に接合された下方電極61及び上方電極63とからなる挟み込み構造体60が配置されている。下方電極61の上面及びこれと接合されている圧電体層62の下面は、高さのRMS変動が50nm以下である。下方電極61の厚さは150nm以下である。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
圧電体層と、該圧電体層の第1の表面に接合された第1の電極と、前記圧電体層の前記第1の表面と反対側の第2の表面に接合された第2の電極とを有しており、前記圧電体層の第1の表面は高さのRMS変動が50nm以下であることを特徴とする薄膜音響共振器。
IPC (6件)：
H04R19/02
, H01L41/09
, H01L41/22
, H03H3/02
, H03H9/17
, H04R31/00
H04R19/02
, H03H3/02 B
, H03H9/17 F
, H04R31/00 C
, H01L41/08 C
, H01L41/22 Z
5D021DD00
, 5J108AA07
, 5J108BB07
, 5J108BB08
, 5J108CC04
, 5J108EE07
, 5J108GG03
, 5J108MM11
