特許

J-GLOBAL ID：200903039209797371

誘導結合プラズマ処理装置および誘導結合プラズマ処理方法

発明者： 福田 誠一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104327
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306659
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 高密度プラズマ処理と、中・低密度プラズマ処理とを連続的に施すことが可能な、誘導結合プラズマ処理装置および誘導結合プラズマ処理方法を提供する。【構成】 誘導結合アンテナをプラズマ処理室の軸方向に移動自在に配設する。誘導結合アンテナを複数のアンテナで構成し、個々のアンテナに選択的に電源を供給してもよい。これらの装置構成により、同一プラズマ処理室内で、異なる密度のプラズマ処理を連続的に施す。【効果】 プラズマエッチングの分野においてはエッチングレートと選択比、またプラズマCVDにおいてはデポジションレートと膜質の制御等、並立が困難な要求を満たすプラズマ処理が可能となる。スループットの向上やパーティクル汚染の低減にも寄与する。

請求項（抜粋）：

被処理基板を載置した基板ステージを内部に配設するとともに、略円筒形状の誘電体材料からなるプラズマ処理室の外周に、コイル状の誘導結合アンテナを巻回した構造を有する誘導結合プラズマ処理装置であって、該誘導結合アンテナを、前記プラズマ処理室の軸方向に移動自在に配設したことを特徴とする、誘導結合プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H05H 1/46 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-219620
  
• プラズマ処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-008973   出願人：堀池靖浩, 進藤春雄, 株式会社神戸製鋼所