特許
J-GLOBAL ID：200903051456489922
プラズマ処理方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008973
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203869
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 被処理物のチャージアップを抑えるプラズマ処理により,プラズマ処理における加工異常を防止するプラズマ処理方法及びその装置を提供する。【構成】 被処理物11が正又は負のいずれかにチャージアップすることを抑制するために被処理物11に正イオンと負イオンとを交互に照射する。被処理物11から離れた第1の所定位置に第1のプラズマP1を発生させて負イオンを取り出す。又,第1のプラズマP1と被処理物11との間の第2の所定位置に第2のプラズマP2を発生させて正イオンを取り出す。第2のプラズマP2を断続的に発生させると,第2のプラズマP2がオフ状態のときには,第1のプラズマP1による負イオンが被処理物11に照射され,オン状態のときには第2のプラズマP2による正イオンが被処理物に照射される。これら負イオンと正イオンとの被処理物上における照射比率を調整することによって,被処理物11が負又は正にチャージアップすることが防止でき,この調整は上記第2のプラズマP2の断続間隔を調整することによってなされる。
請求項（抜粋）：
真空容器内に負性ガスを導入して所要のプラズマ発生手段により上記真空容器内の所定位置にプラズマを発生させ,該プラズマにより上記真空容器内に配設した被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法において,上記被処理物に上記プラズマによって生成された正イオンと負イオンとを交互に照射するようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
