特許
J-GLOBAL ID:200903039218771318

半導体装置およびその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-023509
公開番号(公開出願番号):特開2001-290439
出願日: 2001年01月31日
公開日(公表日): 2001年10月19日
要約:
【要約】【課題】 本願発明は、プラスチック支持体(プラスチックフィルムもしくはプラスチック基板を含む)を用いて高性能な電気光学装置を作製するための技術を提供することを課題とする。【解決手段】本願発明は、プラスチックに比べて耐熱性のある基板の上に必要な素子を形成し、後にそれらの素子を室温の処理によりプラスチック基板11に移すことを特徴としている。また、プラスチック基板11上にカラーフィルタ57を設けられ、第1の接着層55によりTFT素子の下地膜12と接着している。
請求項(抜粋):
基板上に接着層と、前記接着層上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に発光素子とを有し、前記発光素子から発光した光は、前記基板を通過して放射されることを特徴とする半導体装置。
IPC (15件):
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 349 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/30 365 ,  G02F 1/13357 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/00 348 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (15件):
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 349 B ,  G09F 9/30 349 C ,  G09F 9/30 365 Z ,  G02F 1/13357 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/00 348 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 E ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D
引用特許:
審査官引用 (4件)
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