特許
J-GLOBAL ID:200903039247963765

赤外線検知素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外8名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-307575
公開番号(公開出願番号):特開平8-166284
出願日: 1994年12月12日
公開日(公表日): 1996年06月25日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、高感度かつ低雑音で大規模アレー素子を実現することを目的とする。【構成】 半導体基板1の主平面上に形成されたメンブレン2と、メンブレン2下部の半導体基板1の一部を除去して形成された熱分離領域5と、メンブレン2上に温接点3が形成されたサーモパイルと、温接点3の上部に形成された赤外線吸収膜6と、熱分離領域5に形成され熱雑音低減用のフィルタを構成するキャパシタ15とを有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体基板と、該半導体基板の主平面上に形成されたメンブレンと、該メンブレン下部の前記半導体基板の一部を除去して形成され当該メンブレンを前記半導体基板から熱分離するための熱分離領域と、該熱分離領域上の前記メンブレン上に温接点が形成されたサーモパイルと、前記温接点の上部に形成され入射赤外線を吸収する赤外線吸収膜と、前記熱分離領域に形成され熱雑音低減用のフィルタを構成するキャパシタとを有することを特徴とする赤外線検知素子。
IPC (3件):
G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 35/32
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭64-066588
  • 熱型赤外線センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-343964   出願人:株式会社村田製作所
  • 特開平3-156981
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