半導体装置のはんだバンプ形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341681
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186161
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】はんだと半導体基板の電極との反応を防止し、剥離等がなくて信頼性が高く高密度LSIチップのフリップチップ接合に適用できる半導体装置のバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 Siウェハ1のAl電極2上に、スパッタ法によりTi層3を0.2〜0.8μm、第1のNi層4を0.5μm程度の厚さに形成し、電解ストライクめっき法により、前記第1のNi層4上に第2のNi層5を0.1μm以下の厚さに形成し、更に電解めっき法により、第2のNiめっき層5上に第3のNi層6を1〜5μmの厚さに形成する。そして、電解めっき法により、前記第3のNi層6上にはんだ層7を形成した後、該はんだ層を溶融させてはんだバンプを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた外部接続用電極上にスパッタ法によりチタン層及び第1のニッケル層を順次形成する工程と、前記第1のニッケル層上に第2のニッケル層を電解ストライクめっき法により形成する工程と、前記第2のニッケル層上に第3のニッケル層を電解めっき法により形成する工程と、前記第3のニッケル層上にはんだ層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置のはんだバンプ形成方法。

FI (5件)：

H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 602 F , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 603 B , H01L 21/92 604 N

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭57-139945
特開昭61-253384
ニッケルチタン合金部材のめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222019 出願人：古河電気工業株式会社

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審査官引用 (5件)

特開昭57-139945
特開昭61-253384
ニッケルチタン合金部材のめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222019 出願人：古河電気工業株式会社

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