セラミック多層基板の製法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086026
公開番号（公開出願番号）：特開2002-290039
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】焼成後の寸法変化やバラツキを容易に小さくできるとともに、基板の特性や信頼性を高く維持できるセラミック多層基板の製法を提供する。【解決手段】第1絶縁性無機材料および光硬化性樹脂を含有する第1スリップと、第1絶縁性無機材料とは焼成収縮開始温度が20°C以上相違する第2絶縁性無機材料および光硬化性樹脂を含有する第2スリップとを作製する工程、支持基板9上に、第2スリップを塗布、乾燥して第2絶縁層成形体10aを形成する工程、第2絶縁層成形体10aを露光硬化させる工程、第2絶縁層成形体10a上に、第1スリップを塗布、乾燥して第1絶縁層成形体10bを形成し、該第1絶縁層成形体10bを露光し、硬化させる工程を繰り返して、第1絶縁層成形体10b〜10gと第2絶縁層成形体10a、10hの積層成形体を作製する工程、積層成形体を支持基板9から剥離し、焼成する工程を具備する。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁層を積層してなり、該複数の絶縁層のうち少なくとも1層が他の第1絶縁層と焼成収縮開始温度が異なる第2絶縁層であるセラミック多層基板の製法であって、以下の(a)〜(f)の工程を具備することを特徴とするセラミック多層基板の製法。(a)少なくとも第1絶縁性無機材料および光硬化性樹脂を含有する第1スリップと、前記第1絶縁性無機材料とは焼成収縮開始温度が20°C以上相違する第2絶縁性無機材料および光硬化性樹脂を含有する第2スリップとを作製する工程(b)支持基板上に、前記第1または第2スリップを塗布、乾燥して第1または第2絶縁層成形体を形成する工程(c)前記第1または第2絶縁層成形体を露光し、硬化させる工程(d)(c)工程で得られた前記第1または第2絶縁層成形体上に、前記第1または第2スリップを塗布、乾燥して第1または第2絶縁層成形体を形成し、該第1または第2絶縁層成形体を露光し、硬化させる工程を繰り返して、前記第1絶縁層成形体と前記第2絶縁層成形体の積層成形体を作製する工程(e)前記積層成形体を前記支持基板から剥離する工程(f)前記積層成形体を焼成する工程

IPC (4件)：

H05K 3/46 , C04B 35/46 , H05K 3/00 , H05K 3/40

FI (6件)：

H05K 3/46 H , H05K 3/46 N , H05K 3/46 T , C04B 35/46 F , H05K 3/00 K , H05K 3/40 K

Fターム (42件)：

4G031AA01 , 4G031AA03 , 4G031AA04 , 4G031AA11 , 4G031AA19 , 4G031AA29 , 4G031AA30 , 4G031AA39 , 4G031BA12 , 4G031CA03 , 4G031CA08 , 5E317AA24 , 5E317BB04 , 5E317BB11 , 5E317CC22 , 5E317CC25 , 5E317CD21 , 5E317CD25 , 5E317CD32 , 5E317GG14 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA24 , 5E346AA38 , 5E346AA43 , 5E346BB01 , 5E346BB15 , 5E346CC18 , 5E346CC31 , 5E346DD02 , 5E346DD34 , 5E346EE24 , 5E346EE27 , 5E346EE29 , 5E346FF18 , 5E346GG03 , 5E346GG04 , 5E346GG06 , 5E346GG09 , 5E346HH07 , 5E346HH11 , 5E346HH21

引用特許：

審査官引用 (2件)

積層ガラス-セラミック回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-038819 出願人：京セラ株式会社
セラミック積層体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-243148 出願人：京セラ株式会社

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