特許
J-GLOBAL ID：200903056440533745
積層ガラス-セラミック回路基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038819
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236936
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 焼成時に発生する積層体基板の平面方向の収縮率を低く抑えることができる積層ガラス-セラミック回路基板を提供する。【構成】 ガラス成分及び無機物フィラーとから成る絶縁層1a〜1eが複数積層して成る積層体基板と、該絶縁層1a〜1e間に配置した低抵抗金属材料から成る内部配線導体2と該絶縁層1a〜1eに配置した低抵抗金属材料から成るビアホール導体3とから構成されて成る積層ガラス-セラミック回路基板において、前記所定絶縁層、例えば1a、1eに含まれるガラス成分のガラス転移点は、他の絶縁層、例えば1b〜1dに含まれるガラス成分のガラス転移点と比較して80°C以上の温度差を有している。
請求項（抜粋）：
ガラス成分及び無機物フィラーから成る絶縁層を複数積層した積層体基板と、該絶縁層の層間に配置した低抵抗金属材料から成る内部配線導体と該絶縁層に配置した低抵抗金属材料から成るビアホール導体とから構成されて成る積層ガラス-セラミック回路基板において、前記積層体基板は、ガラス転移点が80°C以上異なったガラス成分を有する絶縁層を複数積層して成ることを特徴とする積層ガラス-セラミック回路基板。
IPC (5件)：
H05K 3/46
, B32B 7/02 105
, B32B 17/06
, B32B 18/00
, H05K 1/03 630
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 T
, B32B 7/02 105
, B32B 17/06
, B32B 18/00 D
, H05K 1/03 630 G
