特許

J-GLOBAL ID：200903039268199267

シリカ薄膜の製造方法

発明者： 今井 宏明 ,  津久間 孝次
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113607
公開番号（公開出願番号）：特開平9-295804
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、これらの課題を解決し、非晶質シリカ薄膜を低温で、かつ任意形状の表面に形成できる新規なシリカ薄膜の製造方法を提供することにある。【解決手段】アルコキシシラン、アルコ-ル、アンモニア及び水からなる溶液に、基材を浸漬し、室温以上100°C以下の温度で保持することにより、アルコキシシランの加水分解により生成したシリカを基材表面に析出させるシリカ薄膜の製造方法、及び、その製造方法において、アルコキシシランとしてSi(OC2H5 )4 、溶媒であるアルコ-ルとしてC2 H5 OH、或いはCH3 OH、触媒としてアンモニア水を用い、各々、以下の濃度範囲内に収まるように混合した溶液に基材を浸漬し、保持することにより、その表面にシリカ薄膜を形成することを特徴とするシリカ薄膜の製造方法。 Si(OC2 H5 )4 : 0.01〜0.5モル/リットル NH3 : 1〜7モル/リットル H2 O/Si(OC2 H5 )4 のモル比 : 5〜100

請求項（抜粋）：

アルコキシシラン、アルコ-ル、アンモニア及び水からなる溶液に、基材を浸漬し、室温以上100°C以下の温度で保持することにより、アルコキシシランの加水分解により生成したシリカを基材表面に析出させるシリカ薄膜の製造方法。