縮小したフィーチャーサイズのためのダマスクプロセス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-511944
公開番号（公開出願番号）：特表平10-509285
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：

【要約】最初の寸法を有する開口を形成し、開口に第2の誘電材料を堆積して最初の寸法を縮小することによってサブミクロンのコンタクト/ビアおよびトレンチを誘電層に設ける。

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、第1の誘電材料を含む第1の誘電層を含み、前記第1の誘電層は上表面と、下表面と、前記第1の誘電層を通って前記上表面から前記下表面に延びる第1の開口とを有し、前記第1の開口は、第2の誘電材料を含む有限の厚さを有する第1の側壁によって規定される第1の寸法を有する、半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (21件)

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