特許
J-GLOBAL ID：200903039287268377
シリコン単結晶引き上げ用石英ルツボとその製造方法および引き上げ方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-208597
公開番号（公開出願番号）：特開2005-067910
出願日： 2003年08月25日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】ルツボ内周面が合成石英ガラス層によって形成されたシリコン単結晶引き上げ用石英ルツボにおいて、シリコン単結晶の酸素濃度が低く、かつ単結晶化率の高い石英ルツボを提供する。【解決手段】シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ルツボであって、ルツボ内周面の少なくともシリコン融液の液面に接する部分が透明な合成石英ガラス層によって形成されており、該合成石英ガラス層表面に対する上記液面の接触角が80°以上であることを特徴とし、例えば少なくとも、引き上げ開始時のシリコン融液の液面レベルからその下側10〜15cmまでの範囲に相当する部分のシリコン融液面の接触角が80°以上であり、あるいは該合成石英ガラス層の層厚が1mm未満である石英ルツボ。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶の引き上げに用いる石英ルツボであって、ルツボ内周面の少なくともシリコン融液の液面に接する部分が透明な合成石英ガラス層によって形成されており、該合成石英ガラス層表面に対する上記液面の接触角が80°以上であることを特徴とする石英ルツボ。
IPC (3件)：
C30B29/06
, C03B20/00
, C30B15/10
C30B29/06 502B
, C03B20/00 H
, C30B15/10
4G014AH00
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG02
, 4G077PD01
, 4G077PD05
