特許
J-GLOBAL ID：200903039290387646
試料作製方法および試料作製装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342372
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148159
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウエーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供する。【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも90度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。
請求項（抜粋）：
試料台に試料を載置する工程と、前記試料台の試料載置面に対し相対的に傾斜させて試料にイオンビームを照射し試料を加工する第1の加工工程と、試料載置面で試料を回転し試料にイオンビームを照射して加工する第2の加工工程と、前記第2の加工工程で得られた試料片を摘出する工程と、を有することを特徴する試料作製方法。
IPC (4件)：
G01N 1/28
, G01N 1/32
, H01J 37/20
, H01J 37/30
G01N 1/32 B
, H01J 37/20 Z
, H01J 37/30 A
, G01N 1/28 G
, G01N 1/28 N
2G052AA13
, 2G052EC14
, 2G052EC18
, 2G052GA34
, 5C001AA01
, 5C001AA06
, 5C001CC07
, 5C034AB01
, 5C034AB04
