特許
J-GLOBAL ID：200903039303844510
不揮発性半導体メモリシステムの制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119099
公開番号（公開出願番号）：特開平11-110283
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題と解決手段】 システムが管理する論理ブロックと、複数のメモリセルにより構成され、前記論理ブロックに対応するデータを記憶する物理ブロックと、前記物理ブロック中に含まれ、前記対応する論理ブロックのアドレスを記憶する冗長部と、前記物理ブロックが少なくとも2以上で構成される物理ブロックエリアとを具備し、前記論理ブロックと前記物理ブロックエリアとの対応関係を管理するための論理番地/物理番地変換テーブルを作成する。
請求項（抜粋）：
システムが管理する論理ブロックと、複数のメモリセルにより構成され、前記論理ブロックに対応するデータを記憶する物理ブロックと、前記物理ブロック中に含まれ、前記対応する論理ブロックのアドレスを記憶する冗長部と、前記物理ブロックが少なくとも2以上で構成される物理ブロックエリアとを具備し、前記論理ブロックと前記物理ブロックエリアとの対応関係を管理するための論理番地/物理番地変換テーブルを作成することを特徴とするメモリシステムの制御方法。
引用特許：
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