半導体ディスク装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028287
公開番号（公開出願番号）：特開平8-221223
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【構成】当該消去ブロックの消去回数を格納する消去ブロック情報格納領域10と、データを格納する複数のデータ格納領域11と、論理セクタアドレスを格納する前記データ格納領域毎の論理セクタアドレス格納領域12とから構成される消去ブロック9を複数有するフラッシュメモリ8Aと、前記論理セクタアドレスを物理消去ブロック番号へ変換するためのアドレス変換テーブル5Aと、前記アドレス変換テーブル5Aに基づいて入力した論理セクタアドレス(LSA)を物理消去ブロック番号(PBN)へ変換し、前記フラッシュメモリ8A上の該当物理消去ブロック内で前記入力した論理セクタアドレスに基づいて最新の該当データ格納領域11を捜し出し、前記最新の該当データ格納領域11の内容を読み出すCPU4とを備えた。【効果】データ管理用のアドレス変換テーブル5Aを小さくできる。

請求項（抜粋）：

当該消去ブロックの消去回数を格納する消去ブロック情報格納領域と、データを格納する複数のデータ格納領域と、論理セクタアドレスを格納する前記データ格納領域毎の論理セクタアドレス格納領域とから構成される消去ブロックを複数有するフラッシュメモリ、前記論理セクタアドレスを物理消去ブロック番号へ変換するためのアドレス変換テーブル、並びに前記物理消去ブロック番号に基づいて前記フラッシュメモリ上のデータを管理する制御手段を備えたことを特徴とする半導体ディスク装置。

IPC (2件)：

G06F 3/08 , G11C 16/06

FI (2件)：

G06F 3/08 H , G11C 17/00 309 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197318 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
特開昭63-079196
特開昭63-079196

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