特許
J-GLOBAL ID：200903039318014778
酸化物単結晶基板のレーザによる切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-172162
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224865
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】 加工効率が高く、しかも加工後の表裏面にチッピング等の欠陥の発生がない酸化物単結晶基板のレーザによる切断方法を提供する。【解決手段】 酸化物単結晶基板2の切断予定面3に短パルスレーザ1を照射し、切断予定面3の酸化物単結晶基板2を加熱して、酸化物単結晶基板2を昇華・除去して酸化物単結晶基板2の切断予定面3に溝4を形成すると同時に溝4の底部を蓄熱させ、蓄熱された溝4の底部に発生する熱応力により酸化物単結晶基板2を切断予定面に沿って割断する。
請求項（抜粋）：
酸化物単結晶基板の切断予定面に短パルスレーザを照射し、切断予定面の酸化物単結晶基板を加熱して、酸化物単結晶基板を昇華・除去して酸化物単結晶基板の切断予定面に溝を形成すると同時に溝の底部を蓄熱させ、蓄熱された溝の底部に発生する熱応力により酸化物単結晶基板を切断予定面に沿って割断することを特徴とする酸化物単結晶基板のレーザによる切断方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/00 320
H01L 21/78 B
, B23K 26/00 N
, B23K 26/00 320 E
