特許
J-GLOBAL ID：200903039331409382
半導体発光装置、光プリントヘッド、および画像形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-315630
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260246
出願日： 2008年12月11日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】 電気特性と発光特性の双方を最適化した高特性の半導体装置を提供する。【解決手段】 アノード層121と、アノード層と導電型が異なるカソード層111と、アノード層とカソード層との電気的な導通を制御するゲート層120a、120bと、アノード層とカソード層との間に設けられ、電子と正孔との再結合により発光する活性層114と、活性層の一方の面に接するように設けられ、活性層のエネルギーバンドギャップより大きい第1のクラッド層115と、活性層の他方の面に接するように設けられ、活性層のエネルギーバンドギャップより大きく、且つ、第1のクラッド層と導電型が異なる第2のクラッド層113とを備えている。ゲート層の厚さは、ゲート層に注入された小数キャリアの平均自由行程以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
アノード層と、
前記アノード層と導電型が異なるカソード層と、
前記アノード層と前記カソード層との電気的な導通を制御するゲート層と、
前記アノード層と前記カソード層との間に設けられ、電子と正孔との再結合により発光する活性層と、
前記活性層の一方の面に接するように設けられ、当該活性層のエネルギーバンドギャップより大きい第1のクラッド層と、
前記活性層の他方の面に接するように設けられ、当該活性層のエネルギーバンドギャップより大きく、且つ、前記第1のクラッド層と導電型が異なる第2のクラッド層とを備え、
前記ゲート層の厚さは、当該ゲート層に注入された小数キャリアの平均自由行程以下であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H04N 1/036
, G03G 15/04
H01L33/00 A
, H01L33/00 C
, H01L33/00 B
, H04N1/036 A
, G03G15/04 111
2H076AB42
, 2H076AB47
, 2H076AB51
, 5C051AA02
, 5C051CA06
, 5C051DA03
, 5C051DB02
, 5C051DB04
, 5C051DB06
, 5C051DB08
, 5C051DB18
, 5C051DB22
, 5C051DC02
, 5C051DC03
, 5C051DC07
, 5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA07
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CB36
, 5F041FF13
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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