特許
J-GLOBAL ID:200903039381920916

半導体リードフレーム用銅合金

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 雄一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-083761
公開番号(公開出願番号):特開平10-280072
出願日: 1997年04月02日
公開日(公表日): 1998年10月20日
要約:
【要約】【課題】 強度、導電性、打抜加工性、曲げ加工性、耐応力腐食割れ性、製造加工性などに優れる半導体リードフレーム用銅合金を提供する。【解決手段】 Znを10〜35wt% 、Snを 0.1〜2wt%含み、残部がCuと不可避的不純物からなる銅合金であって、結晶粒の大きさが 5〜35μmの半導体リードフレーム用銅合金。【効果】 Znにより打抜加工性が改善され、Snの適量添加と結晶粒度の制御により応力腐食割れ性などが改善される。
請求項(抜粋):
Znを10〜35wt% 、Snを 0.1〜2wt%含み、残部がCuと不可避的不純物からなる銅合金であって、結晶粒度が 5〜35μmであることを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。
IPC (2件):
C22C 9/04 ,  H01L 23/48
FI (2件):
C22C 9/04 ,  H01L 23/48 V
引用特許:
審査官引用 (11件)
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