特許
J-GLOBAL ID：200903039385505760
化合物半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005714
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199425
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 炭素ドープ化合物半導体層を有するウエハを形成する場合、炭素ドープ化合物半導体層への水素の混入を少なくしキャリア濃度の低下を防する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板81上に、所定の成長温度で炭素ドープのベース層85を形成する第1の工程と、形成されたベース層85をアルキルアルシン雰囲気中で所定の温度まで変化させる第2の工程と、を備えたことにより、ベース層85への水素の混入が抑制され、ドープされた炭素の活性化率の低下を防止できる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に、所定の成長温度で炭素ドープの化合物半導体層を形成する第1の工程と、形成された上記化合物半導体層をアルキルアルシン雰囲気中で所定の温度まで変化させる第2の工程と、を備えた化合物半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 A
, H01S 3/18
