特許
J-GLOBAL ID：200903039407510720
ヘテロ接合半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013074
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288365
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 基板と格子整合した高信頼でかつバンドギャップのエネルギーの制御幅の大きなヘテロ接合半導体デバイスを得る。【構成】 InP基板3上に、3倍周期型秩序相のGa0.5 In0.5 As活性層1及びその両側に無秩序相のAl0.5 In0.5 Asクラッド層2を有するダブルヘテロ型半導体レーザである。3倍周期型結晶あるいは、[111]A方向2倍周期型結晶のGa0.5 In0.5 As活性層はInP基板に構成整合していながら、発振波長が2μm 乃至それを越える長波長で発振することができる。格子整合がとれているため、長期の高信頼性が得られる。
請求項（抜粋）：
2またはそれ以上の種類の陽イオンがFCC副格子上で秩序構造を有する、1またはN種類の化合物半導体混晶を含む複数種類の化合物半導体層よりなるヘテロ接合半導体デバイスであり、各秩序相混晶層の全部または一部が、[111]Aの結晶方向に当該秩序相混晶が対応する組成で無秩序構造の3倍の周期の陽イオン組成変調周期を有する結晶構造(3倍周期構造と略記)を有することを特徴とするヘテロ接合半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, C30B 29/68
, H01L 31/10
, H01L 33/00
