特許

J-GLOBAL ID：200903039410920904

化合物半導体超微粒子の製造方法

発明者： 中野 豊将 ,  石塚 雅之 ,  斉藤 光正
出願人/特許権者： 住友大阪セメント株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-084553
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272516
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 付活元素が非常に効率的に添加されたナノメートルサイズの化合物半導体超微粒子を、容易かつ安価に製造することが可能な化合物半導体超微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、化合物半導体超微粒子と付活元素イオンとを液体中にて共存させ、これら化合物半導体超微粒子及び付活元素イオンが共存した液体に加熱処理を施すことにより、付活元素を化合物半導体超微粒子に添加することを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

化合物半導体超微粒子と付活元素イオンとを液体中に共存させ、これら化合物半導体超微粒子及び付活元素イオンが共存した液体に加熱処理を施すことにより、前記付活元素を前記化合物半導体超微粒子に添加することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。

IPC (1件)：

C09K11/08

FI (1件)：

C09K11/08 A

Fターム (24件)：

3K007AB03 ,  3K007DB02 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007DC03 ,  3K007DC04 ,  4H001CA02 ,  4H001CA06 ,  4H001CF01 ,  4H001XA08 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA52 ,  4H001YA09 ,  4H001YA17 ,  4H001YA25 ,  4H001YA29 ,  4H001YA47 ,  4H001YA62 ,  4H001YA63 ,  4H001YA65 ,  4H001YA69

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-212171   出願人：ソニー株式会社