特許

J-GLOBAL ID：200903093267204474

発光体の製造方法

発明者： 井原 優 ,  大野 勝利 ,  仙名 保 ,  磯部 徹彦 ,  五十嵐 崇裕
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-212171
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310770
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 ナノ構造結晶を有し、付活剤が良好にドープされてなるII-VI族半導体からなる発光体を製造する、全く新規な発光体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利用した液相反応にて付活剤がドープされたII-VI族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加する。又は、本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利用した液相反応にて付活剤が添加されたII-VI族半導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有機酸又はポリスチレンを添加する。

請求項（抜粋）：

共沈を利用した液相反応にて付活剤がドープされたII-VI族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加することを特徴とする発光体の製造方法。

IPC (2件)：

C09K 11/54 CPC ,  C09K 11/08

FI (3件)：

C09K 11/54 CPC ,  C09K 11/08 E ,  C09K 11/08 A