光半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-171543
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022588
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】絶縁ブロック体の二つ凹部に発光素子及び受光素子をそれぞれ搭載したMID構造受発光素子において、パッケージの小型化を図る。【解決手段】絶縁ブロック体の各凹部の底部は、配線を絶縁するための段差を有する形状とし、各下段に設けた配線部に光半導体素子の下部電極をダイボンド接続すると共に、各上段に設けた配線部に光半導体素子の上部電極をワイヤボンド接続して形成する。さらに、絶縁ブロック体の外部側壁の形状を、実装面に向かって側壁間の距離が短くなるように傾斜する構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

凹部を有する絶縁ブロック体表面に、前記凹部内から引き出された立体配線が設けられ、前記凹部内に配置された光半導体素子の電極が前記立体配線に接続する光半導体素子において、前記凹部の底面は、段差を有し、該段差により絶縁された一の前記立体配線に前記光半導体素子の一の電極が接続し、別の前記立体配線に前記光半導体素子の別の電極が接続されていることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3件)：

H01L31/12 , H01L31/02 , H01L33/00

FI (3件)：

H01L31/12 A , H01L33/00 N , H01L31/02 B

Fターム (30件)：

5F041AA47 , 5F041DA02 , 5F041DA07 , 5F041DA13 , 5F041DA19 , 5F041DA34 , 5F041DA35 , 5F041DA43 , 5F041DB09 , 5F041EE22 , 5F041FF14 , 5F041FF16 , 5F088BA15 , 5F088BB01 , 5F088BB10 , 5F088EA09 , 5F088JA03 , 5F088JA06 , 5F088JA10 , 5F088JA13 , 5F088LA01 , 5F089AA01 , 5F089AA06 , 5F089AB03 , 5F089AC11 , 5F089AC21 , 5F089CA20 , 5F089DA02 , 5F089DA14 , 5F089GA07

引用特許：

審査官引用 (8件)

立体配線型光結合装置及び反射型光結合装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-094316 出願人：株式会社東芝
特開昭54-100678
発光ダイオード装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-338614 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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